最新の高電圧GaNデバイスが性能向上と容易な設計性を提供し、コストを削減

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- JEDECおよびAEC-Q101に初めて準拠した最高の信頼性を持つ高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の設計・製造をリードするトランスフォームは本日、当社の第4世代GaNプラットフォームの提供について発表しました。トランスフォームの最新技術は、旧世代のGaN技術と比べて、性能、設計性、コスト面で顕著な進歩を提供します。またトランスフォームはこれと関連して、第4世代および将来提供するプラットフォームをSuperGaN™技術と呼ぶことを発表しました。


最初のJEDEC準拠SuperGaNデバイスはTP65H300G4LSGで、240 mΩ 650 V GaN FETをPQFN88パッケージで提供します。2つ目のSuperGaNデバイスはTP65H035G4WSとなり、35 mΩ 650 V GaN FETをTO-247パッケージで提供します。これらのデバイスは現在サンプル提供中で、それぞれ第2四半期と第3四半期に入手可能になります。対象アプリケーションには、アダプター、サーバー、電気通信、産業用途全般、再生可能エネルギーが含まれます。システム設計者は、トランスフォームの4kWブリッジレス・トーテムポールAC-DC評価ボードのTDTTP4000W066C-KITを使って技術を評価できます。

SuperGaN™技術の違い

第4世代を設計するにあたり、トランスフォームのエンジニアリング・チームは従来製品の量産で得た知識を活用したほか、性能、製造性、コスト削減を絶えず追求し、究極の簡素性を備え、大幅な機能強化を行った新製品の設計を目指しました。この新しいプラットフォームの特許取得済み技術は、組み立てとアプリケーションの両方におけるトランスフォームの本質的なGaN性能と簡素性を強化する恩恵をもたらし、これはSuperGaN™ブランドを促進する要素となります。

第4世代SuperGaNは特許取得済み技術により、以下のような恩恵を提供します。

  • 性能強化:第4世代は性能指数(RON*QOSS)を約10パーセント向上させ、より安定した数値の高い効率曲線を提供します。
  • 容易な設計性:第4世代は、高電流駆動時におけるスイッチング・ノード・スナバーの必要性をなくし、デザイン・インを行う際の簡素性を向上させます。
  • 突入電流対策を強化(di/dt):第4世代は、ハーフブリッジの内蔵フリーホイーリング・ダイオード機能のスイッチング電流制限をなくします。
  • デバイスのコスト削減:第4世代の設計における革新と特許取得済み技術が、デバイスの組み立ても簡素化します。それによってコストも調整され、トランスフォームのGaNの価格をシリコントランジスタに近づけることができます。
  • 実証済みの堅牢性・信頼性:第4世代の35mΩ FETは、トランスフォームの第3世代デバイスが現在提供しているものと同じゲートロバスト性(+/- 20Vmax)と、ノイズイミュニティー(4V)を提供します。

トランスフォームの世界技術マーケティング・北米販売担当バイスプレジデントのPhilip Zukは、次のように述べています。「トランスフォームのSuperGaN™ FETは、シリコンのスーパージャンクションMOSFETの進化がそうであったように、次世代パワーエレクトロニクスに影響を与え続けるでしょう。当社の第4世代GaNプラットフォームは優れた性能によって、その他の電力ステージで新しい設計の機会を生み出しつつ、顧客の全体的なROIを高めることができます。損失を減らし、デバイスへの初期投資をお客さまがシリコンで期待するようになったものに近づけつつ、信頼性を犠牲にすることがない当社の能力は、市場におけるGaNの立場がさらに強まっていることを、改めて示しています。」

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーのトランスフォーム(www.transphormusa.com)は、高圧電力変換用途向けに最高の性能と信頼性を備えたGaN半導体の設計・製造を行っています。最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDECおよびAEC-Q101準拠GaN FETを生産しています。当社の垂直統合デバイス事業モデルは、設計・製作からデバイス、応用サポートに至るまであらゆる段階でイノベーションを可能にしています。ツイッター:@transphormusa

SuperGaNのマークはトランスフォームの登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者の財産です。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。


Contacts

Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

情報提供元:
記事名:「トランスフォームが第4世代GaNプラットフォームを導入してSuperGaN™ Power FETを発表