東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧共振回路用に1350V耐圧のディスクリートIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)「GT20N135SRA」を製品化し、本日から出荷を開始します。

新製品GT20N135SRAは、既存製品[注1]と比べて、コレクター・エミッター間飽和電圧[注2]が1.75Vと約10%低減、ダイオード順電圧[注3]が1.8Vと約21%低減しました。これによりIGBTとダイオードともに高温時 (TC=100℃)の導通損失特性を改善しており、機器の省電力化に貢献します。さらに、既存製品[注1]と比べて、接合・ケース間熱抵抗が0.48℃/W(max)と約26%低減され熱設計が容易になっています。



また、新製品は機器の起動時に発生する共振コンデンサーの短絡電流の抑制をはかっており、短絡電流[注4]ピーク値は、新製品が129Aと既存製品[注1]と比べて約31%低減しています。あわせて、安全動作領域が広くなっており、既存製品[注1]と比べて設計が容易です。

応用機器

  • 調理家電 (卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど) の電圧共振回路用

新製品の主な特長

  • 低い導通損失:
      VCE(sat)=1.6V (typ.) (@IC=20A、VGE=15V、Ta=25℃)
      VF=1.75V (typ.) (@IF=20A、VGE=0V、Ta=25℃)
  • 低い接合・ケース間熱抵抗: Rth(j-C)=0.48℃/W (max)
  • 機器の起動時に発生する共振コンデンサーの短絡電流を抑制可能
  • 広い安全動作領域

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25°C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

コレクター・

エミッター間

飽和電圧

VCE(sat)

typ.

@IC=20A,

VGE=15V

(V)

ダイオード

順電圧

VF

typ.

@IF=20A,

VGE=0V

(V)

スイッチング

時間

 (下降時間)

tf

typ.

@抵抗負荷 (μs)

接合・

ケース間

熱抵抗

Rth(j-C)

max

(℃/W)

コレクター・

エミッター間電圧

VCES

(V)

コレクター

電流

(DC)

IC

@TC=25℃

(A)

コレクター

電流

(DC)

IC

@TC=100℃

(A)

接合

温度

Tj

(℃)

GT20N135SRA

TO-247

1350

40

20

175

1.60

1.75

0.25

0.48

[注1] 当社既存製品「GT40RR21」
[注2] 当社実測値。2019年6月時点。(測定条件: IC=20A、VGE=15V、TC=100℃)
[注3] 当社実測値。2019年6月時点。 (測定条件: IF=20A、VGE=0V、TC=100℃)
[注4] 当社実測値。2019年6月時点。 (測定条件: VCC=300V、VGG=15V、C=0.33μF、t=5μs、Ta=25 ℃)

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

当社IGBT製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/igbt-iegt/igbt.html

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情報提供元:
記事名:「東芝:機器の省電力化と設計の簡易化に貢献する電圧共振回路用ディスクリートIGBT発売について